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mos管开关电路_pwm驱动mos管开关电路图分享

所属分类:凤凰彩票平台新闻 发布时间:2019-05-28 15:24 作者:凤凰彩票_凤凰彩票 文章来源:凤凰彩票平台

  MOS管开关电路是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。本文为大家带来三种pwm驱动mos管开关电路解析。

  IRF540就是很常用的MOS管了,特殊负载如H桥里面的双MOS驱动。有专用的驱动芯片如IR2103

  如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电,会在限流电阻反向并联一个二极管。

  Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh。

  Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱,用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

  R2和R3提供了PWM电压基准,通过改变这个基准,可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

  Q3和Q4用来提供驱动电流,由于导通的时候,Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降,这个压降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。

  R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样,采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。

  最后,R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

  6,PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。

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